原子層沉積系統(tǒng)是一種用于化學、材料科學領域的工藝試驗儀器。技術指標反應腔腔壁加熱溫度應不低于300℃;反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求,基底加熱溫度可達500℃。主要功能具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能;具備未來等離子體增強ALD、Loadlock單元擴展功能。應用原子層沉積技術由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度、成份和結(jié)構(gòu))原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD),最初稱為原子層外延(AtomicLayerEpitaxy,ALE),也稱為原子層化學氣
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