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原子層沉積系統(tǒng)

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原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。應(yīng)用領(lǐng)域原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,成份和結(jié)構(gòu)),優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛......
原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āT訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。


應(yīng)用領(lǐng)域

原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,成份和結(jié)構(gòu)),優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括:

1) 晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate)

2) 微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)

3) 光電子材料和器件

4) 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層

5) 平板顯示器(有機(jī)光發(fā)射二極管材料,OLED)

6) 互連線勢(shì)壘層

7) 互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seed layer)

8) DRAM、MRAM介電層

9) 嵌入式電容

10) 電磁記錄磁頭

11) 各類薄膜(<100nm)


半導(dǎo)體領(lǐng)域

晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴(kuò)散勢(shì)壘層和互聯(lián)勢(shì)壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層,集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。


納米技術(shù)領(lǐng)域

中空納米管,隧道勢(shì)壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結(jié)構(gòu),中空納米碗,存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內(nèi)部的涂層,納米線的涂層。





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