原子層沉積系統(tǒng)是一種用于化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器。技術(shù)指標(biāo)反應(yīng)腔腔壁加熱溫度應(yīng)不低于300℃;反應(yīng)腔能夠適應(yīng)在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴(yán)格要求,基底加熱溫度可達(dá)500℃。主要功能具有熱ALD沉積氧化物、氮化物、貴金屬等薄膜材料的功能;具備未來等離子體增強(qiáng)ALD、Loadlock單元擴(kuò)展功能。應(yīng)用原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度、成份和結(jié)構(gòu))原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD),最初稱為原子層外延(AtomicLayerEpitaxy,ALE),也稱為原子層化學(xué)氣
查看詳情