● 適用 2 - 8 inch 晶圓,156mm × 156mm 太陽能硅片
● 可適用于多孔,通孔,高深寬比樣品(可達 1 : 2500)
● 工藝溫度:50 - 500℃
● Advance 型號配有等離子處理系統(tǒng),工藝溫度 450℃(可選配特定chuck盤至 650℃)
● 適用鍍膜種類:Al2O3,TiO2,SiO2,Ta2O5,HfO2,ZnO,ZrO2,AlN,TiN,Pt,Ir 等
● 手動上料,可選配機械臂,搬運機器人或 Cassette-to-Cassette 上料
● 前驅體種類:液體、固體、氣體、臭氧源、等離子體等