等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)
（PEALD)
等離子體增強(qiáng)原子層沉積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源，化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
PEALD的優(yōu)點(diǎn)包括：
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長(zhǎng)可在低溫下進(jìn)行（室溫到400度以下）；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底；
7. 原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件，生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。
等離子增強(qiáng)原子層沉積PEALD的應(yīng)用：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)；
6) 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻?hào)艡凇㈦x子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應(yīng)用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)；
系統(tǒng)配制：
基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；
加熱溫度：25℃—400℃（可選配更高）；
均勻性： < 2%；
前驅(qū)體數(shù)：4路（可選配6路）；
兼容性： 可兼容100級(jí)超凈室；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD及PE-ALD技術(shù)；
目前可以沉積的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
