科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術(shù),具有的熱壁設(shè)計(jì)和單獨(dú)的入口，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。
科研型原子層沉積系統(tǒng)具有專有的Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)指標(biāo)
應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
科研型原子層沉積系統(tǒng)具有專有的Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)指標(biāo)
| 襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
| zui大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據(jù)工藝） | |
| 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
| 3D 復(fù)雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳） | |
| 粉末與顆粒（配備擴(kuò)散增強(qiáng)器） | |
| 多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 | |
| 工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C） |
| 基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載） |
| 預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ） | |
| 前驅(qū)體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 |
| 4根du立源管線，zui多加載6個(gè)前驅(qū)體源 | |
| 對蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar)，用氮?dú)獾容d氣dao入前驅(qū)體瓶內(nèi)引出 | |
| 重量 | 350kg |
| 尺寸（ W x H x D)） | 取決于選件 |
| zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
| zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
| 選件 | PICOFLOW™擴(kuò)散增強(qiáng)器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè)計(jì)，手套箱集 |
| 成（用于惰性氣體下裝載）。 | |
| 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝 |
應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
| 材料 | 非均勻性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13% |
| SiO2 (batch) | 0.77% |
| TiO2 | 0.28% |
| HfO2 | 0.47% |
| ZnO | 0.94% |
| Ta2O5 | 1.00% |
| TiN | 1.10% |
| CeO2 | 1.52% |
| Pt | 3.41% |
