脈沖激光沉積系統(tǒng)
（Pulse Laser Deposition System）
原產(chǎn)國(guó):美國(guó)
PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)介紹:
PLD是將脈沖激光透過(guò)合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設(shè)在對(duì)面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
我們PLD系統(tǒng)擁有的性能價(jià)比,具體技術(shù)參數(shù)配置:
1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境大壓力是300mtorr;
3.基板加熱電源，到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;
7.閥門(mén): 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測(cè):真空計(jì);
9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;
10.薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;
11.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;
12.各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;
用戶(hù)用少的錢(qián)買(mǎi)到研究級(jí)高性能的純進(jìn)口PLD系統(tǒng)。
（Pulse Laser Deposition System）
原產(chǎn)國(guó):美國(guó)
PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)介紹:
PLD是將脈沖激光透過(guò)合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設(shè)在對(duì)面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
我們PLD系統(tǒng)擁有的性能價(jià)比,具體技術(shù)參數(shù)配置:
1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制;
2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境大壓力是300mtorr;
3.基板加熱電源，到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;
7.閥門(mén): 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測(cè):真空計(jì);
9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;
10.薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;
11.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;
12.各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子;
13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;
用戶(hù)用少的錢(qián)買(mǎi)到研究級(jí)高性能的純進(jìn)口PLD系統(tǒng)。
