特點(diǎn)
?獨(dú)立交鑰匙PLD系統(tǒng)
PLD-CCS 三元連續(xù)組分?jǐn)U散
無(wú)退火和掩模
在“真正的”沉積條件下(比如800℃,500mTorr)薄膜成長(zhǎng)
Wafer尺寸:標(biāo)準(zhǔn)型直徑2”(4" 和6" 需客戶定制)
外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的沉積
高溫下氧化膜沉積的氧兼容性
連續(xù)組成擴(kuò)展功能(CCS)可在單次沉積中沉積很多不同組分的材料,大大縮短了沉積不同組分材料合成新材料的時(shí)間, 實(shí)現(xiàn)合成材料組分的優(yōu)化。PLD-CCS 系統(tǒng)能以連續(xù)的方式改變材料,沒(méi)有必要使用掩模。可以在每一次循環(huán)中,以小于 一個(gè)單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每一種組份,其結(jié)果是類似于共沉積法。該法無(wú)需在沉積后進(jìn)行退火促進(jìn)內(nèi)部擴(kuò)散或 結(jié)晶,對(duì)于生長(zhǎng)溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是非常有幫助的。Neocera 公司 PLD 系統(tǒng)可在同一個(gè)系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)帶有連續(xù)組成擴(kuò)展功能(CCS-PLD)和標(biāo)準(zhǔn)型 PLD 功能。