(PLD MBE)
憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國內(nèi)外擁有較多用戶,為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來參觀咨詢。
用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長;
UHV磁控濺射磁性薄膜;
脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。
儀器主要配置:
主腔室,樣品傳輸腔,1100度加熱系統(tǒng),樣品旋轉(zhuǎn),PLD靶材操控器及光路,K-cell熱蒸發(fā)源,電子束蒸發(fā)源,射頻RF離子源。
應(yīng)用主要包括:
分子束外延系統(tǒng)(MBE);
GaAs、InP和GaSb外延;
HgCdTe外延;
GaN、InN和AlN外延;
Ⅱ-Ⅵ族外延;
SiGe外延;
Si/金屬/氧化物外延;
超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng);
磁控濺射系統(tǒng);
脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng);
電子束蒸發(fā)系統(tǒng);
離子束沉積系統(tǒng);
熱蒸發(fā)系統(tǒng)。
PVD公司已經(jīng)在范圍內(nèi)安裝了超過100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對用戶定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計(jì)的背景,在用戶中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)初都是起源于針對某些客戶對沉積過程特殊需求和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。