等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)

Plasma Enhansed Atomic Layer Deposition - PEALD

用高速隔膜閥使得前驅(qū)體以脈沖的方式填充腔體到表面吸附飽和，再使用反應(yīng)氣體將腔內(nèi)表面的自由基反應(yīng)成目標(biāo)材料，反復(fù)執(zhí)行，即可在腔內(nèi)形成單晶超薄薄膜?？沙练e大部分氧化和氮化物薄膜，也可根據(jù)應(yīng)用需求沉積硫化物，硒化物等。目標(biāo)薄膜的厚度多在 0-100 nm 范圍區(qū)間，薄膜致密性好，晶格取向一致，且可覆蓋或填充各種微納結(jié)構(gòu)，是目前已知的覆蓋度較好的薄膜技術(shù)。

原子層沉積原理

金屬有機(jī)物前驅(qū)體兼容性強(qiáng)，合成相對(duì)靈活，所以原子層沉積技術(shù)基本可以覆蓋絕大部分常用材料薄膜。

原子層沉積相關(guān)的元素

原子層沉積技術(shù)以氣流與待沉積表面的相對(duì)方向可分為水平流和垂直流，二者均可實(shí)現(xiàn)大面良好均勻性沉積。

Syskey PEALD構(gòu)造

應(yīng)用領(lǐng)域：

● 介質(zhì)薄膜

● 半導(dǎo)體薄膜

● 光學(xué)薄膜

● 薄膜封裝

應(yīng)用展示：

配置選型：

配置特點(diǎn)：

● 樣品尺寸：6寸、8寸、12寸

● 本底真空優(yōu)于 5 × 10^-2 Torr

● 前驅(qū)物管路：最多 6 路前驅(qū)物，其中一路為H2O

● 反應(yīng)氣體：氧氣，臭氧，氮?dú)?，氨氣，氫氣，根?jù)鍍膜材料選擇

● 前驅(qū)物加熱與冷卻功能可選，且可替換

● 300W CCP 等離子體模塊，支持熱模式與等離子體增強(qiáng)模式

● 可與手套箱集成，支持多種取放樣方式

● 支持多腔體互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)原位多層膜沉積（PECVD&PEALD）