上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源 RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.
離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的核心部件, KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 氣體通入離子源的放電室中, 電離產(chǎn)生均勻的等離子體, 由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料去除, 進而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運行在較高的真空度下.
IBE 類型設(shè)備的優(yōu)點主要是等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間, 通過柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺可以實現(xiàn)自轉(zhuǎn), 并通過角度調(diào)整, 實現(xiàn)傾斜入射.
KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應(yīng)器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
