價(jià)格電議
KRI 考夫曼離子源 Gridded RFICP 系列
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列,無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長,
KRI 射頻離子源
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應(yīng)器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
KRI 射頻離子源
RFICP系列離子源應(yīng)用:
離子輔助鍍膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子濺鍍IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
RFICP系列離子源技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
- 燈絲陰極 | 無 | 無 | 無 | 無 |
- 射頻功率 | 0.6 kw | 1kw | 1kw | 2kw |
離子槍 | 離子束 | 離子束 | 離子束 | 離子束 |
- 柵極 | 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用選配 | |||
- 對(duì)齊 | 自對(duì)準(zhǔn) | 自對(duì)準(zhǔn) | 自對(duì)準(zhǔn) | |
- 離子束直徑@柵極 | 4cm | 10 或12cm | 14cm | 22cm |
中和器 | LFN 2000 | LFN 2000 | LFN 2000 | LFN 2000 |
電源控制 | RFICP 1510-2-06-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 | ||||
Cathode / Neutralizer | LFN1000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN |
基座 | 法蘭或Remote | 法蘭或Remote | 法蘭或Remote | 法蘭或Remote |
高度 | 5.0 英寸 | 9.25 英寸 | 9.8英寸 | 11.8 英寸 |
直徑 | 5.3 英寸 | 7.52 英寸 | 9.8 英寸 | 16.1 英寸 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng). 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
若您需要了解詳細(xì)信息, 歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東羅先生