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KRI 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國* KRI 射頻
離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件,可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
型號 | RFICP 220 |
供電 | RF 射頻感應(yīng)耦合 |
- 陰極燈絲 | - |
- 射頻功率 | 2 KW |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | ,自對準(zhǔn) |
-柵極直徑 | 22 cm |
中和器 | LFN 2000 |
電源控制 | RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 | - |
- 陰極中和器 | LFN2000 or MHC1000 or RFN |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 11.8' |
- 直徑 | 16.1' |
- 離子束 | 聚焦 平行 散設(shè) |
-加工材料 | 金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 8-45” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
射頻離子源 RFICP 220
射頻離子源 RFICP 220
KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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