上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個(gè)離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)
工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過(guò)程:
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源優(yōu)勢(shì)
提供致密, 光滑, 無(wú)針孔, 耐用的薄膜
遠(yuǎn)離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅(jiān)硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝
美國(guó) KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽(yáng)極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.
上海伯東同時(shí)提供濺射沉積系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生