標準基板尺寸與類型
● 50 mm - 200 mm 單晶片
● 156 mm × 156 mm 太陽能硅晶片
● 3D 對象
● 粉末和顆粒
● 小批量
● 多孔、通孔和高縱橫比(高達 1:2500)
工藝溫度
● 50℃ - 500℃
標準工藝
● Al2O3、TiO2、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、ZrO2、TiN、AlN、Pt 或 Ir 等金屬
基板裝載
● 使用氣動升降機手動裝載
● 帶磁性機械臂的負載鎖
前驅(qū)體
● 液體、固體、氣體、臭氧
● 多達 6 個源、帶 4 個獨立入口
其他選項
● Picoflow™ 擴散增強劑、RGA、N2 發(fā)生器、氣體洗滌器、定制設計、惰性裝載手套箱兼容性