離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
特長(zhǎng)
·單葉式
·支持稀薄Wafer
·平行光束
用途
·功率器件等薄型基板工藝、IGBT工藝
離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
特長(zhǎng)
·單葉式
·支持稀薄Wafer
·平行光束
用途
·功率器件等薄型基板工藝、IGBT工藝
離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
特長(zhǎng)
·單葉式
·支持稀薄Wafer
·平行光束
用途
·功率器件等薄型基板工藝、IGBT工藝
離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
特長(zhǎng)
·單葉式
·支持稀薄Wafer
·平行光束
用途
·功率器件等薄型基板工藝、IGBT工藝
離子注入裝置SOPHI-400可以支持Max2400KeV的高能量離子注入裝置。
特長(zhǎng)
·單葉式
·支持稀薄Wafer
·平行光束
用途
·功率器件等薄型基板工藝、IGBT工藝