等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術(shù)專業(yè)為介質(zhì)膜鍍膜設(shè)計(jì)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng)，改進(jìn)了較小的反應(yīng)堆體積，可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性，并減少泵送時(shí)間。
由于可以方便地訪問所有內(nèi)部組件，因此等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的日常維護(hù)變得更加容易。特殊的底電極設(shè)計(jì)，為PECVD提供了紅外高溫計(jì)精確的晶片加熱控制。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)等離子體產(chǎn)生采用帶自動(dòng)匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺(tái)電極上，在這里可以施加高達(dá)600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置電壓。在ICP模式下，在加熱臺(tái)上使用低頻電勢，確保了在沉積過程中調(diào)節(jié)介質(zhì)膜張力的額外可能性。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應(yīng)器中的極限壓力: <5×10^-6Torr
一次性處理晶圓數(shù)量：：7個(gè)@2'', 4個(gè)@3'', 1個(gè)×∅200mm, 1個(gè)@∅150mm 1個(gè)@∅100mm
ICP發(fā)生器功率：1200W @13.56MHz
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動(dòng)化把晶圓轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。