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設(shè)備特點(diǎn)：貝意克自主研發(fā)生產(chǎn)的ZMF-1400C真空箱式爐系列用于在1350℃以下金屬材料的熱處理和還原性燒結(jié)等工藝，也可用于產(chǎn)品的炭化試驗(yàn)

設(shè)備特點(diǎn)　　此款1700℃高溫CVD系統(tǒng)，是由1700度管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng)以及國(guó)產(chǎn)高真空系統(tǒng)(或選配低真空系統(tǒng))所組成

加熱區(qū)參數(shù)爐管尺寸：外徑25/50*600mm(管徑可選)加熱元件

設(shè)備特點(diǎn)此款設(shè)備是專為生長(zhǎng)石墨烯、碳納米管研制的生長(zhǎng)專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實(shí)驗(yàn)，溫區(qū)可獨(dú)立程序控制，設(shè)備操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直...

加熱區(qū)參數(shù)爐管尺寸：外徑25/50*600mm(管徑可選)加熱元件

設(shè)備特點(diǎn)　　此款CVD系統(tǒng)前端配有可加熱到400℃的預(yù)加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便

小三溫區(qū)滑軌CVD/BTF-1200C-III-S-SL-3ZL

主要特點(diǎn)1.此款設(shè)備提供兩個(gè)獨(dú)立滑動(dòng)的溫場(chǎng)，兩溫場(chǎng)獨(dú)立控制，每個(gè)溫場(chǎng)的加熱區(qū)的長(zhǎng)度為230mm，可在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中推進(jìn)或推離樣品，提供兩個(gè)位置的快升降溫

主要特點(diǎn)　　此設(shè)備具有兩個(gè)獨(dú)立的溫場(chǎng)，溫場(chǎng)之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內(nèi)探熱電偶，可實(shí)現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中將固態(tài)源(如硫粉、硒粉等)推進(jìn)熱場(chǎng)，并同時(shí)可檢測(cè)溫度

大三溫區(qū)滑軌CVD系統(tǒng)（低真空、高真空環(huán)境均可）BTF-1200C-III-SL-4ZL

主要特點(diǎn)：1、滑軌式快速升溫爐是專為生長(zhǎng)石墨烯研制的石墨烯生長(zhǎng)專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實(shí)驗(yàn)

1、主要特點(diǎn)　　該設(shè)備爐管可360旋轉(zhuǎn)，有助于粉料的燒結(jié)更均勻，可大角度傾斜，方便進(jìn)出料，傾斜角度在0-35之間

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本設(shè)備主要針對(duì)實(shí)驗(yàn)和中試石墨烯生長(zhǎng)和制備使用，同時(shí)該設(shè)備可以用于碳納米管的生長(zhǎng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本設(shè)備主要針對(duì)實(shí)驗(yàn)和中試石墨烯生長(zhǎng)和制備使用，同時(shí)該設(shè)備可以用于碳納米管的生長(zhǎng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本設(shè)備主要針對(duì)實(shí)驗(yàn)和中試石墨烯生長(zhǎng)和制備使用，同時(shí)該設(shè)備可以用于碳納米管的生長(zhǎng)

前端預(yù)熱滑軌PECVD

該P(yáng)ECVD(等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))系統(tǒng)，有多路質(zhì)量流量計(jì)系統(tǒng)(進(jìn)口流量計(jì))，真空機(jī)組(進(jìn)口真空泵)，PE射頻電源(進(jìn)口射頻源)，溫控系統(tǒng)等裝置構(gòu)成

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本設(shè)備主要針對(duì)實(shí)驗(yàn)中試石墨烯生長(zhǎng)和制備使用，同時(shí)該設(shè)備可以用于碳納米管的生長(zhǎng)

特點(diǎn)及用途：PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，...

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本設(shè)備主要針對(duì)實(shí)驗(yàn)中試石墨烯生長(zhǎng)和制備使用，同時(shí)該設(shè)備可以用于碳納米管的生長(zhǎng)