SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
新能源汽車受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)最大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對(duì)象.以下五類細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來的核心潛力領(lǐng)域:
800V架構(gòu)帶來的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動(dòng)新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地。
SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)
近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)）等。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對(duì)芯片的可靠性要求較高，這給測(cè)試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。
普賽斯SiC|IGBT功率器件測(cè)試儀and參數(shù)分析儀測(cè)試方案
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。
針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。
從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋
從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋
從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（最大可擴(kuò)展至10kV）
具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）
2、高精度測(cè)量
n安級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
0.1％精度測(cè)量
四線制測(cè)試
3、模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元
系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或 升級(jí)測(cè)量單元
4、測(cè)試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元
支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試
5、軟件功能豐富
上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用
支持曲線繪制
自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出
開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴(kuò)展性好
支持常溫及低溫、高溫測(cè)試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用
硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)
1、大電流輸出響應(yīng)快，無過沖
采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測(cè)試過程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs， 脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。
2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式
采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止 器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。
規(guī)格參數(shù)
更多有關(guān)SiC|IGBT功率器件測(cè)試儀and參數(shù)分析儀的信息找普賽斯儀表專員為您解答，普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！
