半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應(yīng)；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復(fù)雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，普賽斯大功率分立器件測試設(shè)備集多種測量和分析功能一體，可晶準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流晶準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)特點和優(yōu)勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；
系統(tǒng)指標
項目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ | |
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
更多有關(guān)大功率分立器件測試設(shè)備詳情找普賽斯儀表專員為您解答，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。
