功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。
隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展，它們通常具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外，由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢。
功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程，主要包括設(shè)計驗證、晶圓制造、封裝測試三個主要環(huán)節(jié)，其中，每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)又包含若干復(fù)雜的工藝制程。
PMST系列大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯正向設(shè)計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET. BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。
針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
納安級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試
擴展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
大功率器件測試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。
