樣品容量:全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安裝樣品。Loadlock允許樣本傳輸時間<2min;
操作平臺:在x軸和y軸上進行200mm的平臺運動。Z軸范圍15mm。連續(xù)旋轉(zhuǎn)。傾斜范圍-5至55度。精度<1um絕對平均值且<2um(85%公差間隔)超過25mm;
電子束性能:肖特基場發(fā)射槍,浸沒式最終透鏡分辨率3nm,5kV 5mm WD。電壓范圍為200V至30kV;
離子束性能:1500小時鎵離子源。7nm分辨率。工作電壓為5kV至30kV。束流1pA至11nA;
探測器:通過透鏡檢測器(TLD)和連續(xù)雙節(jié)點電子倍增器(CDEM)進行二次電子、背散射電子和二次離子檢測。紅外CCD攝像機,用于樣品的低倍率圖像;
束化學(xué):XeF2用于Si和SiO2研磨增強。離子束和電子束沉積六羰基鎢,用于沉積鎢金屬焊盤、通孔和線路。兩個額外氣體噴射器的容量。TEO用于沉積絕緣膜,H2O用于增強碳基材料的研磨,鉑和鉬用于沉積導(dǎo)線和通孔;
樣品操縱器:用于從晶圓基板提取銑削薄片樣品的軟件控制探針。