特色：EVG ® 6200 NT掩模對(duì)準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。
技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG6200 NT以其自動(dòng)化靈活性和可靠性而著稱，可在最小的占位面積上提供的掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，并具有的產(chǎn)能，*的對(duì)準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件，最短的掩模和工具更換時(shí)間以及高效的服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或*安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動(dòng)或自動(dòng)配置，并配有集成的振動(dòng)隔離功能，可在廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的曝光效果，例如薄和厚光刻膠的曝光，深腔和類似地形的圖案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導(dǎo)體）的加工。此外，半自動(dòng)和全自動(dòng)系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。
EVG6200 NT特征：
晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''
系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性
在次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH，在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH
易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時(shí)間短
帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列
自動(dòng)原點(diǎn)功能，用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中
具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能
支持的UV-LED技術(shù)
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)
自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基板裝載功能
可以從半自動(dòng)版本升級(jí)到全自動(dòng)版本
最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）
*的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性
便捷處理和轉(zhuǎn)換重組
遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性
臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版
EVG6200 NT附加功能：
鍵對(duì)準(zhǔn)
紅外對(duì)準(zhǔn)
納米壓印光刻（NIL）
EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù)：
曝光源
汞光源/紫外線LED光源
*的對(duì)準(zhǔn)功能
手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證
自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)
動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)
對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法
EVG6200 NT產(chǎn)能：
全自動(dòng)：批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片
全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓
晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米
對(duì)準(zhǔn)方式：
上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 µm
底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0 µm
紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 µm /具體取決于基板材料
鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 µm
NIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0 µm
曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制
曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光
系統(tǒng)控制
操作系統(tǒng)：Windows
文件共享和備份解決方案/無(wú)限制 程序和參數(shù)
多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR
實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除
工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理
納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL
