ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)
一、 概述
向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。
二、 使用要求
l 進(jìn)線電壓：AC220V±10%
l 電壓頻率：50Hz±1Hz
l 功率消耗：1.5KW（zui大功率）
l 環(huán)境溫度：10～50℃
l 工作濕度：溫度不高于+30℃時(shí)，相對(duì)濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%，無冷凝。
l 大氣壓力： 86Kpa～106Kpa
l 海拔高度：不超過3000米。
三、 技術(shù)指標(biāo)
l 電源電壓：10-400V
l 保護(hù)電壓：100-5000V
l 雪崩能量：實(shí)測(cè)
l 雪崩電流：0.01A-200A
l 電感：10mH、20mH、40mH、100mH
l 電壓波形：方波
l 脈沖寬度：100uS-800mS
l 測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/span>
四、 計(jì)算機(jī)功能介紹
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是該設(shè)備的中心控制單元。計(jì)算機(jī)采用的是研華工業(yè)控制機(jī)，機(jī)箱為610H型，抗電磁*力強(qiáng)，排風(fēng)量大等特點(diǎn)。該套系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)、NI6221數(shù)據(jù)采集卡、USB5133波形采集卡、數(shù)字電路隔離、高速脈沖隔離、模擬隔離、電壓采樣、電流采樣。
1. NI6221數(shù)據(jù)采集卡主要功能控制機(jī)械運(yùn)行，電容充放電和主要功率器件觸發(fā)。
2. USB5133是用來將被試元件兩端測(cè)試電壓電流采樣送給計(jì)算機(jī)，用來計(jì)算和顯示測(cè)試波形及數(shù)據(jù)。
3. 數(shù)字隔離板：計(jì)算機(jī)輸出信號(hào)經(jīng)過光耦隔離后在進(jìn)行放大用來驅(qū)動(dòng)電磁閥和繼電器來完成自動(dòng)控制。
4. 高速脈沖隔離：計(jì)算機(jī)輸出信號(hào)經(jīng)過高速光耦隔離后在放大用來驅(qū)動(dòng)功率型器件的觸發(fā)來完成測(cè)試。
5. 模擬隔離：計(jì)算機(jī)輸出信號(hào)經(jīng)過模擬隔離集成塊ISO124后來控制電源電壓和保護(hù)電壓幅值。
6. 電壓采樣：將元件雪崩后兩端電壓采樣送到波形采集卡NI5133。
7. 電流采樣：將元件雪崩后流過的電流送到波形采集卡NI5133。
8. NI PCI6221端口功能介紹：
P1.0-選通10mH電感
P1.1-選通20mH電感
P1.2-選通40mH電感
P1.6-保護(hù)電壓換擋
P1.7-開始測(cè)試
P0.0-IGBT、IGBT、IGBT、IGBT、MOSFET、、、二次觸發(fā)
P0.1-檢測(cè)被試元件短路
P2.0-檢測(cè)準(zhǔn)備好
P2.1-檢測(cè)故障
CTR0-測(cè)試脈沖
AO1-保護(hù)電壓設(shè)定
A00-電源電壓設(shè)定
CH0-電壓采集
CH1-電流采集
PFI-1
