此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。
開關(guān)時間測試單元
開啟延遲時間（Td（on）） 上升時間（Tr）
關(guān)斷延遲時間（Td（off）） 下降時間（Tf）
開啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff
二極管反向恢復(fù)測試單元
反向恢復(fù)時間（Trr） 反向恢復(fù)電荷（Qrr）
柵極
美國吉時利 替代品 易恩MOS測試儀
西安廠家直供大功率MOS動靜態(tài)測試系統(tǒng)
規(guī)格環(huán)境
A. 環(huán)境溫度： 25±10℃，
B． 相對濕度： 濕度不大于65%
C. 大氣壓力： 86Kpa～ 106Kpa
D. 工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%
E． 電網(wǎng)頻率： 50Hz±1Hz
F. 壓縮空氣： 0.4～0.6Mpa
G. 防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；功能簡介
此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。
開關(guān)時間測試單元
開啟延遲時間（Td(on)） 上升時間（Tr）
關(guān)斷延遲時間（Td(off)） 下降時間（Tf）
開啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff
二極管反向恢復(fù)測試單元
反向恢復(fù)時間（Trr） 反向恢復(fù)電荷（Qrr）
柵極電荷測試單元
閾值電荷（Qg（th）） 柵電荷（Qg）
靜態(tài)全參數(shù)測試單元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩測試單元
雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)
測量的MOSFET動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號 | 參數(shù)名稱 | 符號 |
開通延遲時間 | td(on) | 關(guān)斷延遲時間 | td(off) |
上升時間 | tr | 下降時間 | tf |
開通時間 | ton | 關(guān)斷時間 | toff |
開通損耗 | Eon | 關(guān)斷損耗 | Eoff |
柵極電荷 | Qg | 拖尾時間 | tz |
測量的DIODE動態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號 | 參數(shù)名稱 | 符號 |
反向恢復(fù)時間 | trr | 反向恢復(fù)電荷 | Qrr |
