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  • 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

參考價(jià)
面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)ENX2020
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2018-05-15
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 入駐年限10
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量8
  • 人氣值1398
產(chǎn)品標(biāo)簽

雪崩耐量雪崩耐能

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       西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū),是陜西省政府重點(diǎn)支持的*。公司專(zhuān)注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售半導(dǎo)體封裝、測(cè)試設(shè)備?,F(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)電力電子行業(yè)的測(cè)試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車(chē)半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo),在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動(dòng)IGBT參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、功率器件圖示系統(tǒng)、集成電路測(cè)試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、*、高校等諸多領(lǐng)域。
       完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀的人才隊(duì)伍一直是企業(yè)強(qiáng)化建設(shè)的重點(diǎn)。公司設(shè)有測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,調(diào)試中心,產(chǎn)品研發(fā)中心,服務(wù)團(tuán)隊(duì)等多個(gè)技研服務(wù)部門(mén),以滿(mǎn)足不同客戶(hù)對(duì)測(cè)試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的40%,碩士學(xué)歷以上人員占75%,專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員占比超過(guò)66%,成員大多來(lái)自航天、航空、半導(dǎo)體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的人士。公司通過(guò)了質(zhì)量體系*及陜西省軟件企業(yè)認(rèn)定,承擔(dān)國(guó)家*創(chuàng)新基金項(xiàng)目等,目前獲得發(fā)明4項(xiàng),實(shí)用新型15項(xiàng),軟件著作權(quán)3項(xiàng)。
     “專(zhuān)業(yè)專(zhuān)注,全心服務(wù)”是公司健康發(fā)展之基礎(chǔ)。面向未來(lái),易恩將充分發(fā)揮自身的技術(shù)創(chuàng)新和服務(wù)優(yōu)勢(shì),致力成為*的電力電子測(cè)試方案供應(yīng)商。                        

易恩電氣,致力于電力電子測(cè)試方案提供商,主要提供電力電子相關(guān)的大功率分立器件測(cè)試儀、IGBT測(cè)試儀、變流器IGBT測(cè)試儀,牽引系統(tǒng)IGBT測(cè)試儀,半導(dǎo)體參數(shù)圖示儀、IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀、IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IPM測(cè)試儀、雪崩耐量測(cè)試儀晶體管圖示儀等功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。

 

 

 

 

 

 

 

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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制
雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱(chēng)為雪崩耐量,表示施加電壓 時(shí)的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量。但是,一些電源在輸 出短路時(shí),初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。
雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器 產(chǎn)品詳情

ENX2020雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述:

    半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用的基礎(chǔ)元件,其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電子電路系統(tǒng)來(lái)講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流,滿(mǎn)足一定的雪崩耐量。

    雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱(chēng)為雪崩耐量,表示施加電壓 時(shí)的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量。但是,一些電源在輸 出短路時(shí),初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些 電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

該測(cè)試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達(dá) 2000J。測(cè)試的電壓和電 流波形同時(shí)被采集到示波器,并由示波器與工控機(jī)直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)經(jīng)過(guò)處理后,將測(cè)試數(shù)據(jù)以 EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行zui終 的編輯和打印,同時(shí)可觀(guān)測(cè)雪崩波形。設(shè)備可滿(mǎn)足各種封裝形式的功率模塊測(cè)試需求,并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。

系統(tǒng)模塊:

主控單元、電源模塊、高壓輸出模塊、電流輸出模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路

系統(tǒng)特征:

雪崩能量/電流超限提示、設(shè)備配有應(yīng)急裝置、可設(shè)置保護(hù)電壓、可連接handler

測(cè)試結(jié)果保存為Excel、測(cè)試波形采集及顯示、

規(guī)格/環(huán)境要求:

尺       寸:800x800x1800(mm)

質(zhì)       量:210kg

環(huán)境濕度:15~40℃

工作電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

大氣壓力:86Kpa~106Kpa

通信接口:USB  RS232

系統(tǒng)功耗:320W

功能指標(biāo):

配置

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場(chǎng)效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA

 

DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J

 

 

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測(cè)

50mV/A(取決于傳感器)

 

 

 

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、

 

 

 

重復(fù)間隙時(shí)間

1~60s可調(diào)(步進(jìn)1s) 重復(fù)次數(shù):1~50次

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