ENX2020雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述：
半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓 時(shí)的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸 出短路時(shí)，初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些 電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
該測(cè)試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá) 2000J。測(cè)試的電壓和電 流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理后，將測(cè)試數(shù)據(jù)以 EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行zui終 的編輯和打印,同時(shí)可觀測(cè)雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊測(cè)試需求，并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。
系統(tǒng)模塊：
主控單元、電源模塊、高壓輸出模塊、電流輸出模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路
系統(tǒng)特征：
雪崩能量/電流超限提示、設(shè)備配有應(yīng)急裝置、可設(shè)置保護(hù)電壓、可連接handler
測(cè)試結(jié)果保存為Excel、測(cè)試波形采集及顯示、
規(guī)格/環(huán)境要求：
尺 寸：800x800x1800(mm)
質(zhì) 量：210kg
環(huán)境濕度：15~40℃
工作電壓：AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
大氣壓力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB RS232
系統(tǒng)功耗：320W
功能指標(biāo)：
配置 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
電壓 | IGBTs | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V |
電流 | MOSFETs | EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA |
| DIODEs | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J |
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| PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測(cè) | 50mV/A（取決于傳感器） | |
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| 感性負(fù)載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、 | |
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| 重復(fù)間隙時(shí)間 | 1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次 | |
