北京金時(shí)速儀器設(shè)備經(jīng)營(yíng)部
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詳細(xì)摘要： 無(wú)線多層土壤水分速測(cè)儀QS-SFY-III第三代土壤水分速測(cè)儀采用無(wú)線多層技術(shù)，通過(guò)手機(jī)對(duì)四層水分含量數(shù)據(jù)進(jìn)行采集，再通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)發(fā)送到云端服務(wù)器，主要用于農(nóng)業(yè)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： QS-SFY普及版土壤墑情速測(cè)儀/土壤水分測(cè)定儀儀器發(fā)射特定頻率的電磁波，電磁波沿不銹鋼探針傳輸?shù)竭_(dá)底部后返回，檢測(cè)探頭輸出的電壓，由于土壤介電常數(shù)的變化通常取...
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詳細(xì)摘要： KDB-1涂層/薄膜方塊電阻測(cè)試儀本方阻測(cè)試新產(chǎn)品為薄膜測(cè)試提供機(jī)械、電氣兩方面的保護(hù)，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無(wú)損的方塊電阻測(cè)量結(jié)果。
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詳細(xì)摘要： KDB-2B金屬薄膜方塊電阻測(cè)試儀配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測(cè)量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬(wàn)分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)全過(guò)程中的電流變化，使操作更簡(jiǎn)便，...
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詳細(xì)摘要： KDB-3雙組合四探針?lè)阶?電阻率測(cè)試儀是根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF1529設(shè)計(jì)，雙組合測(cè)試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測(cè)量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。
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詳細(xì)摘要： STY-2R全類型整流法導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀是嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF42-1105及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550中的全類型整流法設(shè)計(jì)生產(chǎn)。
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詳細(xì)摘要： LT-1高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀 儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定高頻光電導(dǎo)衰減法；測(cè)試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測(cè)...
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詳細(xì)摘要： LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀該設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計(jì)制造。
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詳細(xì)摘要： WJ-100A型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)制造。
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詳細(xì)摘要： LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)制造。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： WJ-100C型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)制造。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： WJ-100C型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀-配工控機(jī)是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)...
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詳細(xì)摘要： KDY-2成套兩探針電阻率測(cè)試儀（測(cè)檢磷檢硼棒）KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱兩探針儀）是按照我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 成套兩探針測(cè)試儀（測(cè)細(xì)硅芯）KDY-2KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱兩探針儀）是按照我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（AST...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 成套兩探針測(cè)試儀（測(cè)鍺錠）KDY-2KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀是按照我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（ASTM）*的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法“兩探針?lè)?設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀是按照我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（ASTM）*的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法“兩探針?lè)?設(shè)計(jì)
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： KDY-4四探針電阻率測(cè)試儀是嚴(yán)格按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造，并針對(duì)目前常用的四探針電阻率測(cè)試儀存在的問(wèn)題加以改進(jìn)。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： KDY-1A便攜式電阻率測(cè)試儀（成套）符合半導(dǎo)體材料電阻率的及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法。
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： HP系列四探針探頭是一種專門(mén)測(cè)量半導(dǎo)體薄層電阻（面電阻）的方塊電阻測(cè)試儀配用的四探針測(cè)試探頭，可用于測(cè)量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜…...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-21L型方塊電阻測(cè)試儀是一種依照類似的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門(mén)測(cè)量半導(dǎo)體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測(cè)量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2016-03-28 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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