北京金時速儀器設(shè)備經(jīng)營部
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更新時間:2016-03-28 17:09:04瀏覽次數(shù):123次
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LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標準MF1535-0707及國家標準GB/T 26068-2010設(shè)計制造。
LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法,主要用于測量高阻長壽命單晶,現(xiàn)在已經(jīng)在天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料有限公司、*公司第四十六研究所、峨嵋半導(dǎo)體材料廠、國泰半導(dǎo)體材料有限公司等投入使用。
技術(shù)參數(shù):
(1)測試單晶電阻率范圍:ρ﹥3Ω•cm
(2)可測單晶少子壽命范圍:5μs~10000μs
(3)紅外光源配置: 波長1.06~1.09μm
(4)高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ
(5)前置放大器,放大倍數(shù)約25,頻寬2HZ-2MHZ
(6)可根據(jù)已知壽命樣品調(diào)校測量壽命值,可調(diào)范圍廣
(7)儀器測量重復(fù)誤差:﹤±25%
(8)測量方式:采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
(9)儀器消耗功率:﹤50 W
(10)儀器工作條件:溫度:10-35℃,濕度﹤65%
使用電源:AC 220V,50HZ(建議配置穩(wěn)壓電源)
(11)可測單晶尺寸:
斷面豎測:直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm
縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-800mm
LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
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