北京金時(shí)速儀器設(shè)備經(jīng)營部
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更新時(shí)間:2016-03-29 09:23:05瀏覽次數(shù):283次
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LT-1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀
儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法;
測試硅單晶電阻率范圍:ρ﹥2Ω·㎝,測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm)電阻率范圍:ρ﹥0.1Ω.cm(表面可能需拋光處理);
LT-1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀
1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法;
2、測試硅單晶電阻率范圍:ρ﹥2Ω·㎝,測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm)電阻率范圍:ρ﹥0.1Ω.cm(表面可能需拋光處理);
3、可測材料:硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等;
4、可測單晶少子壽命τ范圍:5μs~10000μs;
5、紅外光源配置:波長1.06~1.09μm,紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm。光脈沖關(guān)斷時(shí)間<0.2-1μs脈沖電流:5A~20A ;
6、高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ;
7、前置放大器,放大倍數(shù)約25,頻寬2HZ-2MHZ;
8、高頻電極采用銦與樣品接觸,銦可以減小半導(dǎo)體材料與金屬電極間的接觸電阻的優(yōu)良材料而且有良好的抗腐蝕性能;
9、儀器測量重復(fù)誤差:﹤±25%;
10、顯示方式:本儀器配置數(shù)字存儲(chǔ)示波器,模擬帶寬50MHz,zui大實(shí)時(shí)采樣率1GSa/S,垂直靈敏度2mv-5v/div,掃描范圍:2.5ns—50s/div;
11、儀器消耗功率:﹤50W;
12、儀器工作條件:溫度:10-35℃,濕度﹤65% 使用電源:AC 220V,50HZ(穩(wěn)壓電源);
13、可測單晶尺寸: 斷面豎測:直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm 縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-800mm。
LT-1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀
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