原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
襯底尺寸和類型
50 – 200 mm /單片
zui大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據(jù)工藝)
156 mm x 156 mm 太陽(yáng)能硅片
3D 復(fù)雜表面襯底
粉末與顆粒
多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品
原子層沉積系統(tǒng)工藝溫度
50 – 500 °C, 可選更高溫度
原子層沉積系統(tǒng)基片傳送選件
氣動(dòng)升降(手動(dòng)裝載)
預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手(Load lock )
前驅(qū)體
液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
4根獨(dú)立源管線,zui多加載6個(gè)前驅(qū)體源
重量
350 kg
尺寸 (W x H x D)
取決于選件
zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
選件
PICOFLOW?擴(kuò)散增強(qiáng)器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計(jì),手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)。
原子層沉積系統(tǒng)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝