為了解決進(jìn)口設(shè)備交期長(zhǎng)的問(wèn)題，北京眾星聯(lián)恒科技公司有限公司庫(kù)存大量的高性能極紫外、X射線相關(guān)產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)研究人員及工程師訂購(gòu)后的快速交付。
如下是我們庫(kù)存產(chǎn)品的簡(jiǎn)介：
| 產(chǎn)品名稱 | 實(shí)物/布局圖 | 規(guī)格、參數(shù) | 詳細(xì)介紹 | |
| Minipix光子技術(shù)粒子探測(cè)器 | minipix EDU |  | 用途：X射線衍射、成像，散射，電子探測(cè)等 感光材料及厚度：Si-300μm /Si-500μm 有效探測(cè)面積：14 mm x 14 mm 像素尺寸：55 μm*55 μm 讀出速度：55 frames/s 計(jì)數(shù)率：高達(dá)3 x 106 photons/s/pixel 讀出芯片：Timepix B級(jí)別 | 點(diǎn)擊了解詳情 |
| Minipix TPX |  | 用途：X射線衍射、成像，散射，電子探測(cè)等 感光材料及厚度：Si-300μm /Si-500μm 有效探測(cè)面積：14 mm x 14 mm 像素尺寸：55 μm*55 μm 讀出速度：55 frames/s 計(jì)數(shù)率：高達(dá)3 x 106 photons/s/pixel 讀出芯片：Timepix 別 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
| Minipix TPX3 |  | 用途：X射線衍射、成像，散射，電子探測(cè)等 感光材料及厚度：CdTe-1000μm 有效探測(cè)面積：14 mm x 14 mm 像素尺寸：55 μm*55 μm 讀出速度：55 frames/s 計(jì)數(shù)率：高達(dá)3 x 106 photons/s/pixel 讀出芯片：Timepix3 別 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
| 科研級(jí)高靈敏度全幀CCD相機(jī) | ELSE-I 2k2k BI MID |  | 像素?cái)?shù)：2048 X 2048 高光面積：27.6 x 27.6 mm 像素尺寸：13.5 x 13.5 μm 制冷溫度：-80度 | 點(diǎn)擊了解詳情 |
| X射線針孔 | 高深寬比金針孔1 |  | 孔徑及公差：15±1.5μm，20±1.5μm，30±1.5μm，50±2μm，100±3μm，150±3μm 裸針孔不含支架尺寸：0.7cm x0.7cm 含支架尺寸： 2cm x 3cm x0.3cm 針孔厚度：＞ 400μm針孔材質(zhì)：金 | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| 高深寬比金針孔2 |  | 孔徑：300μm，500μm，1000μm，2000μm 針孔厚度：630μm 外部尺寸：?5005μm 針孔材質(zhì)：Ni/鎳 | 聯(lián)系我們了解詳情 | |
| 高深寬比金針孔陣列 |  | 吸收材料：>99%高純金，6μm厚 外框尺寸：34mmx34mm 內(nèi)部圖形化區(qū)域：28mmx28mm 通孔直徑：5μm 孔間距：10μm±0.5μm | 聯(lián)系我們了解詳情 | |
| 無(wú)散射針孔 |  | 直徑:? 34μm 材料: Ta鉭單晶 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
| X射線分辨率測(cè)試卡 | 方孔/狹縫分辨率測(cè)試卡 |  | 用途： 基于刀邊法的硬X射線焦斑尺寸測(cè)量，含測(cè)量方法 外部尺寸：1 x 1 cm2 結(jié)構(gòu)尺寸：5x5 μm2 to 1000x1000 μm2方孔，線間距為1μm ~ 125 μm，間距為5 μm。 吸收金厚度： 25 μm 襯底厚度：2.5 μm Ti | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| nanoXspot 測(cè)試卡 |  | 用途： 線對(duì)和孔用于量化光斑尺寸小于5 μm的x射線管的源尺寸和源形狀(EN12543的擴(kuò)展，已提交給標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)) 4象限區(qū)域，每個(gè)區(qū)域4 mm x 4 mm，含兩個(gè)改良的西門(mén)子星，孔陣列（最小孔徑5微米），7組有不同方向的線對(duì)（12 µm, 10 µm, 8 µm, 6 µm, 5 µm, 4 µm, and 3 µm） 吸收金厚度：大于9µm, | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
| 微納CT評(píng)估模體 | 微納CT分辨率測(cè)試模體 |  | 球直徑: 0.5, 1.0, 2.5, 5.0mm < 1 μm to > 10 μm 體素尺寸CT應(yīng)用 遵從 ASTM E1695-95 標(biāo)準(zhǔn) | 點(diǎn)擊了解詳情 |
| 微納CT體素校準(zhǔn)模體 |  | 球直徑: 0.3 mm 球距離: 0.45 mm (認(rèn)證精度: 0.06 μm) <1 μm 體素CT應(yīng)用 | ||
| 微納CT轉(zhuǎn)臺(tái)擺動(dòng)校正樣品架 |  | 基準(zhǔn)尺寸 [µm]: 25 25 50 100 適用于 Dual-Energy CT or 4D CT | ||
X射線光束截止器 | beams |  | 用途： 阻擋高強(qiáng)度的中心x射線束，例如在散射、顯微成像實(shí)驗(yàn)中 外部尺寸： 4.5 x 4.5 mm2 開(kāi)口尺寸：0.65 x 0.65 mm2（六邊形開(kāi)口） 截止器直接：10-160μm 以10μm 間隔增加 支撐鰭跨度：2-5μm 截止器金厚度：>80μm | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| beamstop2 |  | 用途： 阻擋高強(qiáng)度的中心x射線束，例如在散射、顯微成像實(shí)驗(yàn)中 尺寸： 6.5 x 6.5mm金板 支撐鰭寬度：20μm開(kāi)口尺寸：1.3mm x 1.3mm 截止器尺寸：100μm, 150μm, 200μm, 300μm, 500μm, 600μm, 700μm, 800μm 截止器金高度：>120μm | 聯(lián)系我們了解詳情 | |
| X射線光柵 | TALINT相襯成像套件 |  | 光柵數(shù)量：3塊，含G0,G1,G2 及holder等 設(shè)計(jì)能量：40KeV 含phase stepping壓電臺(tái) | 點(diǎn)擊了解詳情 |
| X射線相位光柵 |  | 周期：3.57μm 占空比：0.5+-10% 面積：50 x 50mm 金高度：9.6μm 基底：200μm Silicon | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
| X射線狹縫 | 狹縫及雙狹縫 |  | 用途：阻擋狹縫區(qū)域外的X射線;用于楊式X射線雙縫實(shí)驗(yàn) 外形尺寸:5.5 x 5.5 mm2 狹縫長(zhǎng)度:3mm 狹縫寬度:2.5 μm、3 μm、4 μm、5 μm、6 μm、7.5 μm、10 μm 雙縫間隙:1倍縫寬或2倍縫寬 金厚度:> 75 μm 襯底:2.5 μm鈦或200 μm硅 | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| X射線CRL鏡子 | 聚合物x射線光學(xué)鏡片 |  | 簡(jiǎn)要說(shuō)明/預(yù)期用途:在全場(chǎng)X射線顯微鏡成像 用于線聚焦的鏡頭陣列，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)聚焦用兩個(gè)交叉的線陣列 標(biāo)準(zhǔn)外殼80 x 70 x 18 mm3，最多可平行安裝三個(gè)鏡頭陣列 鏡片曲率:低至5 μm; 定制:數(shù)量和鏡片半徑的順序 參數(shù)范圍:7 keV ~ 100 keV;焦斑尺寸小至0.3 μm;焦距小至5厘米 聚合物:輻射穩(wěn)定交聯(lián)環(huán)氧樹(shù)脂(SU-8) 襯底:525 μm Si | 點(diǎn)擊了解詳情 |
| X射線晶體 | 軟X射線晶體 |  | 晶體類型: RbAP (001) , 尺寸：80mmx10mmx1mm, | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| X射線多層膜鏡片 | 輕元素X射線熒光分析器 |  | 適用元素：C-Si元素的熒光分析 鍍層材料:W-Si 鍍層數(shù)量:140對(duì) 尺寸:71mm*30mm | 聯(lián)系我們了解詳情 |
| 極紫外光學(xué)元件 | 13.5nm多層膜反射鏡 |  | 入射角：45 deg 直徑：1英寸 面型：平面 | 點(diǎn)擊了解詳情 |
入射角：5 deg 直徑：1英寸 面型：平面 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |||
入射角：5 deg 直徑：1英寸 面型：球面，500nm ROC | 點(diǎn)擊了解詳情 | |||
入射角：5 deg 直徑：1/2英寸 面型：平面 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |||
入射角：5 deg 直徑：1/2英寸 面型：球面，500nm ROC | 點(diǎn)擊了解詳情 | |||
| Zr/鋯濾膜 |  | 厚度：100nm 尺寸：15mm*15mm 自支撐 | 點(diǎn)擊了解詳情 | |
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