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  • 第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備
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PMST-8000V 第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)PMST-8000V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-03-07
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限2
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量395
  • 人氣值60171
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái),公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制 集電極-發(fā)射極?最大電壓8000V
最大電流6000A 精度0.1%
普賽斯專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析,第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表
第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備 產(chǎn)品詳情

   目前,功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)呈現(xiàn)出集成化和模塊化、高性能和高可靠性、多電平技術(shù)、新型器件結(jié)構(gòu)和工藝、智能化和可重構(gòu)等發(fā)展趨勢(shì)和發(fā)展方向。功率半導(dǎo)體器件作為應(yīng)用于嚴(yán)苛環(huán)境下的高功率密度器件,對(duì)器件可靠性要求居于所有半導(dǎo)體器件的前列。因此,對(duì)器件精準(zhǔn)的性能測(cè)試要求、符合使用場(chǎng)景的可靠性測(cè)試條件以及準(zhǔn)確的失效分析方式將有效的提升功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的性能及可靠性表現(xiàn)。

 

    不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是寬禁帶半導(dǎo)體器件碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間,如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

    靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC(直流)狀態(tài)測(cè)試,施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試。主要包括:柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級(jí)間耐壓、源極漏級(jí)間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢

 

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    圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題,如掃描模式對(duì)SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對(duì)SiC   MOSFET 導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響、線路等效電容對(duì)SiC     MOSFET測(cè)試的影響等多個(gè)維度,針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題,普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,具備更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、n安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

  

P300高精度脈沖源表

-  脈沖直流,簡(jiǎn)單易用

-  范圍廣,高至300V低至1pA

-  最小脈沖寬度200μs

-  準(zhǔn)確度為0.1%

 

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E系列高電壓源測(cè)單元

-   ms級(jí)上升沿和下降沿

-   單臺(tái)最大3500V電壓輸出(可擴(kuò)展10kV)

-   測(cè)量電流低至1nA

-   準(zhǔn)確度為0.1%

 

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HCPL100高電流脈沖電源

-   輸出電流達(dá)1000A

-   多臺(tái)并聯(lián)可達(dá)6000A

-   50μs-500μs的脈沖寬度可調(diào)

-   脈沖邊沿陡(典型時(shí)間15us)

-   兩路同步測(cè)量電壓(0.3mV-18V)

 

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    而GaN  HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中,其機(jī)理相對(duì)更為復(fù)雜,主要體現(xiàn)在器件陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)中。GaN     HEMT器件的陷阱效應(yīng)會(huì)引起柵和漏滯后效應(yīng),不利于建模工作和器件射頻應(yīng)用;而自熱效應(yīng)主要體現(xiàn)在脈寬對(duì)GaN HEMT器件測(cè)試的影響。因此,針對(duì)氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構(gòu)成的高速器件的I-V測(cè)試,普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測(cè)試難題。

 

 

CP系列脈沖恒壓源

-   直流/脈沖兩種電壓輸出模式

-   大脈沖電流,最高可至10A

-   超窄脈寬,低至100ns

-   插卡式設(shè)計(jì),1CH/插卡,最高支持10通道

 

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    第三代半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!


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