分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀特點(diǎn):
30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力;
測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度;
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便;
自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);
在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強(qiáng);
免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集;
典型應(yīng)用:
納米、柔性等材料特性分析;
二極管;
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;
第三代半導(dǎo)體材料/器件;
有機(jī)OFET器件;
LED、OLED、光電器件;
半導(dǎo)體電阻式等傳感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量;
太陽(yáng)能電池;
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備;
失效分析;
分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀訂貨信息
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!