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暗電流的測(cè)試通常需要提供一個(gè)反向偏壓，縱觀目前的電流表和電流計(jì)，都不具備提供偏壓的功能，因此必須在電流表的回路中加入電壓源。但這樣會(huì)使測(cè)試系統(tǒng)變得復(fù)雜，引入更多干擾條件，導(dǎo)致暗電流的測(cè)試精度無(wú)法保證。

三同軸線纜連接

APD暗電流測(cè)試連接線通常會(huì)選擇使用低噪聲、低電阻的導(dǎo)線，三同軸線纜具有良好的導(dǎo)電性能和抗干擾能力，適合用于傳輸微弱信號(hào)，可以減少測(cè)試過(guò)程中的干擾和誤差。

如下圖三同軸線纜的半剖圖，多層絕緣屏蔽具有良好的抗干擾能力。

圖：三同軸線纜半剖圖

(1導(dǎo)體;2絕緣;3內(nèi)屏蔽層;4中間層;5外屏蔽層;6外護(hù)套)

屏蔽外部電磁信號(hào)干擾

測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)圖如下圖所示，數(shù)字源表（SMU）連接到光電二極管上，該光電二極管安放在一個(gè)電屏蔽的暗箱中，為了對(duì)敏感的電流測(cè)量進(jìn)行屏蔽使其不受外部干擾的影響，通過(guò)將屏蔽箱與數(shù)字源表（SMU）的低端相連，可以形成一個(gè)封閉的金屬屏蔽環(huán)境，有效地阻止外部電磁干擾信號(hào)的進(jìn)入，保護(hù)測(cè)試信號(hào)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

圖：測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

預(yù)留充足的測(cè)量時(shí)間

在進(jìn)行暗電流測(cè)試時(shí)，需要考慮測(cè)試時(shí)間的長(zhǎng)短。通常情況下，這種現(xiàn)象可能是由于APD內(nèi)部的一些因素導(dǎo)致的，例如載流子的生成和收集過(guò)程。隨著測(cè)試時(shí)間的推移，由于暗電流源的累積或者其他因素的影響，暗電流會(huì)逐漸增加至一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值。