反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓,通過產(chǎn)生的等離子體對(duì)樣品進(jìn)行化學(xué)和物理刻蝕。矽碁科技提供各類定制化RIE設(shè)備,廣泛應(yīng)用于氧化硅、氮化硅及各類電介質(zhì)材料刻蝕,此外矽碁還可以提供電感耦合反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(ICP-RIE),該機(jī)型可提供更高的等離子濃度,適合金屬等其他材料的刻蝕。
技術(shù)參數(shù):
1 基片尺寸可定制;
2 多層式工藝氣體導(dǎo)入,氣體分布均勻;
3 獨(dú)立MFC控制箱,可靈活擴(kuò)充工藝氣路;
4 基板水冷系統(tǒng),保持刻蝕時(shí)基板溫度恒定;
5 刻蝕均勻性優(yōu)于 ±5%;