關(guān)鍵詞：磁控濺射、電子束蒸鍍、超高真空、金屬膜、氧化膜、約瑟夫森結(jié)、超導(dǎo)、量子器件、量子比特、

                多腔體、Qubit、UHV、鈮基超導(dǎo)、氮化鈮、鈦氮化鈮、NbTiN、NbN、sputtering system

                Evaporation system、Nb-based superconductor、超導(dǎo)鋁結(jié)、Josephson junction

型號(hào)：MEB 550S4      產(chǎn)地：歐洲；    應(yīng)用：沉積Al、Nb、NbN、NbTiN等各種超導(dǎo)結(jié)

磁控濺射和電子束蒸發(fā)鍍膜一體機(jī)是納米器件制備中的儀器，用于制備各種高純金屬薄膜和氧化物薄膜。開(kāi)展量子計(jì)算機(jī)實(shí)驗(yàn)研究，如基于金剛石NV色心，離子阱，超導(dǎo)量子結(jié)，量子點(diǎn)電子自旋的研究，均需要蒸鍍/濺鍍各種高質(zhì)量金屬薄膜來(lái)制備量子器件。

配置概要：

1、 系統(tǒng)配有多個(gè)腔室：UHV蒸發(fā)室、UHV濺射室等，用于制備約瑟夫森結(jié)。

2、 電子束蒸發(fā)源：（4-6）x 15cc，6-15KW，2-10KV可調(diào)。

3、 濺射室配有多個(gè)磁控靶源，每個(gè)靶源有獨(dú)立的擋板，配備獨(dú)立氣路。

4、 可以注入多種氣體，進(jìn)行氧化處理，并且可控制其壓強(qiáng)。

5、 樣品臺(tái)可以適用于3英寸以上晶片，且具有樣品臺(tái)傾斜和旋轉(zhuǎn)功能。

6、 樣品襯底在鍍膜前可以通過(guò)離子槍進(jìn)行清潔。

7、 主要真空腔真空度可達(dá)10^-9 Torr。

8、 可以沉積幾乎任何金屬及氧化物薄膜。

9、 蒸鍍厚度控制速度分辨率: 0.001nm/s

10、 整個(gè)系統(tǒng)全自動(dòng)控制，支持半自動(dòng)和手動(dòng)模式。

代表用戶：數(shù)個(gè)超導(dǎo)及量子器件研究實(shí)驗(yàn)室。

詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系我們！