AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
主要特點和優(yōu)點
可以在原子層水平上實現(xiàn)均勻的層控制。
可實現(xiàn)高縱橫比結(jié)構(gòu)的共形沉積。
具有優(yōu)良的平面內(nèi)均勻性和再現(xiàn)性，實現(xiàn)了穩(wěn)定的工藝。
采用*的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了原料的氣路和氣體流，抑制了粒子。
通過采用電容耦合等離子體(CCP)系統(tǒng)，使反應(yīng)室體積最小化，縮短了氣體吹掃時間，加快了一個循環(huán)的速度。
應(yīng)用
氮化膜（AlN、SiN）的形成和低溫形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。
電子設(shè)備的閘門絕緣子
半導體、有機EL等的鈍化膜。
半導體激光器的反射面
在MEMS等3D結(jié)構(gòu)上的沉積
石墨烯上的沉積
碳納米管保護膜粉末涂層
