PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統(tǒng)的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準(zhǔn)分子激光進(jìn)行基底加熱;脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射(RHEED)設(shè)備,系統(tǒng)能同時制備很多樣品(250個/10mm2)。每個樣品都是原子級的控制,可以設(shè)置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
這個組合膜沉積的概念,是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個樣品不同的生長參數(shù)導(dǎo)致的沉積條件的系統(tǒng)變化。最顯著的貢獻(xiàn)就是可以快速地篩選生長條件。
·精準(zhǔn)層蔽控制原子
·層外延膜結(jié)構(gòu)或形態(tài)
·均勻或梯度的快速
·振蕩信號需依成膜條件和成膜品質(zhì)
·專業(yè)LabView提供全自動制程數(shù)字控制
·9項日本、3個國際
·激光加熱: 溫度 >1000℃)
·高壓可操作: ~133Pa
·6種靶材的公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)
·鍍膜腔真空度: ~5e-9Torr
·Load-Lock腔: ~5e-7 Torr 可放置兩個樣品以及四個靶材
·全自動數(shù)字控制