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  • IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

TC57300mos管 IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

參考價(jià)訂貨量

60000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)TC57300mos管
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2020-10-23
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量52
  • 人氣值336
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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測(cè)試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;

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IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源 主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試,包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT),功率MOSFET,二極管,雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析,可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時(shí)間,開關(guān)損耗,柵極電荷,TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 華科智源-電子/半導(dǎo)體檢測(cè)儀器 產(chǎn)品詳情

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試,包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT),功率MOSFET,二極管,雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析,可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時(shí)間,開關(guān)損耗,柵極電荷,TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀概述

  • 測(cè)試電壓:zui大1200 VDC 200(短路電流可達(dá)1000A)
  • 定時(shí)測(cè)量:zui低為1 ns
  • 漏電流限制監(jiān)視器
  • -  MOSFET開關(guān)時(shí)間測(cè)試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
    -  Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
    -  MOSFET柵電荷Qg測(cè)試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  IGBT感性開關(guān)時(shí)間測(cè)試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
    -  IGBT短路耐量測(cè)試,Max ISC=1000A

    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn): 
    - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀選項(xiàng)

  • 額外的電源供應(yīng)器
  • 額外的測(cè)試頭
  • 大包裝適配器

ITC57300mos管功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試頭

  • ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關(guān)時(shí)間
  • ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
  • ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
  • ITC57240 - 電感式開關(guān)時(shí)間為IGBT,MIL-STD 750方法3477
  • ITC57250 - (ISC)短路耐受時(shí)間,MIL-STD-750方法3479

 

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