華科智源-功率器件浪涌電流測試儀，可測試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，電流可達50kA;
品牌： 華科智源
名稱： 功率器件浪涌電流測試儀
型號： HUSTEC-IFSM-1200A
用途： 浪涌電流是指電源線接通
產(chǎn)品詳情
華科智源-功率器件浪涌電流測試儀是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。
半導體器件在工作時，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。
華科智源 功率器件浪涌電流試驗儀的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標準。浪涌電流試驗臺，是二極管等相關(guān)半導體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點：
1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設(shè)備，對設(shè)備的電氣性能要求高。
2、該試驗臺的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進行自動測試。
3、該試驗臺采用計算機記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理。
4、該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成：
a、浪涌測試單元
b、阻斷參數(shù)測試單元
c、計算機控制系統(tǒng)
二、技術(shù)條件
2.1 環(huán)境要求：
1、環(huán)境溫度：15—40℃
2、相對濕度：存放濕度不大于80%
3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa
4、海拔高度：1000米以下
5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
7、電源功率：小于1.5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9
2.2主要技術(shù)指標：
1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等
2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%
浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；
3、 浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等
4、 測試頻率：單次；重復
5、 反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V；
6、 反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%；
7、 反向電壓頻率：DC直流
8、 各種模塊均手動連接，并以單管形式測試。
9、 采用計算機控制、采樣及顯示；
