品牌： 華科智源

名稱： SIC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

型號(hào)： HUSTEC-3000

用途： SIC器件，MOS管， IGBT測(cè)試

產(chǎn)品詳情

功能及主要參數(shù)：

　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。

　　主要技術(shù)參數(shù)：

　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試

　　開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件

　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V

　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)

　　負(fù)　　載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換

　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R

　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試參數(shù)

　　開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS    

　　上升時(shí)間tr:    20nS -10uS

　　開(kāi)通能量Eon：  0.1-1000mJ                

　　關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：20 nS -10uS  

　　下降時(shí)間 tf： 20nS -10uS                  

　　關(guān)斷能量Eoff：0.1-1000mJ

　　二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試

　　FRD測(cè)試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負(fù)載：感性負(fù)載可選

　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　FRD測(cè)試參數(shù)

　　反向恢復(fù)時(shí)間trr：20nS -2uS

　　反向恢復(fù)電荷Qc：10nC~10uC；

　　反向恢復(fù)電流Irm：50A~1000A

　　反向恢復(fù)損耗Erec：0.1mJ～1000mJ

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

　　國(guó)內(nèi)少有能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。