教您進(jìn)入等離子體刻蝕，讀懂新科技新時(shí)代
通過(guò)其等離子表面處理，能夠改善材料表面的潤(rùn)濕能力，使多種材料能夠進(jìn)行涂覆、涂鍍等操作，增強(qiáng)粘合力、鍵合力，同時(shí)去除有機(jī)污染物、油污或油脂。等離子刻蝕，是王法刻蝕中較常見(jiàn)的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力里與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料
教您進(jìn)入等離子體刻蝕，讀懂新科技新時(shí)代
通過(guò)其等離子表面處理，能夠改善材料表面的潤(rùn)濕能力，使多種材料能夠進(jìn)行涂覆、涂鍍等操作，增強(qiáng)粘合力、鍵合力，同時(shí)去除有機(jī)污染物、油污或油脂。等離子刻蝕，是王法刻蝕中常見(jiàn)的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力里與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。
等離子體刻蝕(也稱干法刻蝕)是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝之一，其目的是完整地將掩膜圖形復(fù)制到硅片表面， 其范圍涵蓋前端cMos柵極(Gate) 大小的控制， 以及后端金屬鋁的刻蝕及Via和Trench的刻蝕。在今天沒(méi)有一個(gè)集成電路芯片能在缺乏等離子體刻蝕技術(shù)情況下完成。刻蝕設(shè)備的投資在整個(gè)芯片廠的設(shè)備投資中約占10%~12%比重，它的工藝水平將直接影響到終產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)技術(shù)的*性。
早報(bào)道等離子體刻蝕的技術(shù)文獻(xiàn)于1973年在日本發(fā)表，并很快引起了工業(yè)界的重視。至今還在集成電路制造中廣泛應(yīng)用的平行電極刻蝕反應(yīng)室(Reactive Ion Etch-RIE) 是在1974年提出的設(shè)想。
教您進(jìn)入等離子體刻蝕，讀懂新科技新時(shí)代
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個(gè)步驟：
●在低壓下，反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)(Radicals)
活性反應(yīng)基團(tuán)和被刻蝕物質(zhì)表面形成化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物
反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，并被真空系統(tǒng)抽出腔體。
在平行電極等離子體反應(yīng)腔體中，被刻蝕物是被置于面積較小的電極上，在這種情況，一個(gè)直流偏壓會(huì)在等離子體和該電極間形成，并使帶正電的反應(yīng)氣體離子加速撞擊被刻蝕物質(zhì)表面，這種離子轟擊可大大加快表面的化學(xué)反應(yīng)，及反應(yīng)生成物的脫附，從而導(dǎo)致很高的刻蝕速率，正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實(shí)現(xiàn)。
