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S100B 半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)S100B
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-12-02
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限2
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量398
  • 人氣值60806
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制 工作環(huán)境25±10℃
測(cè)試范圍±300mV~±300V/±100pA~±3A 測(cè)試精度0.03%
武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn),市場(chǎng)應(yīng)用率高;SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A,蕞大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案,半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)就找普賽斯
半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

半導(dǎo)體分立器件是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等,具有整流、放大、開關(guān)、檢波,穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能,衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測(cè)試或C-V測(cè)試來提取晶體管的基本特性參數(shù),并在整個(gè)工藝結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。    

半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)。

實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、帥國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體。可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器,波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡摺⑵骷y(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉,都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果。半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表

普賽斯源表輕松實(shí)現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析       

二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電二極管等,具有安全可靠等特性,廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn)壓、保護(hù)等電路中,是電子工程上用途蕞泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主要參數(shù)之一,二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等;

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)


普賽斯S系列、P系列源表簡(jiǎn)化場(chǎng)效應(yīng)MOS管I-V特性分析  

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中,MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、IDSS,擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

普賽斯數(shù)字源表快速、準(zhǔn)確進(jìn)行三極管BJT特性分析

三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊 半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

普賽斯五合一高精度數(shù)字源表(SMU)在半導(dǎo)體IV特性測(cè)試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),為半導(dǎo)體分立器件電性能參數(shù)測(cè)試提供全面的解決方案,包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外,普賽斯儀表還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具,實(shí)現(xiàn)安全、精確和可靠的測(cè)試。欲了解更多半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)的信息,歡迎隨時(shí)咨詢普賽斯儀表!

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)






 

熱門產(chǎn)品
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