功率MOS管CV測試儀方案
普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。
進(jìn)行C-V 測量時(shí),通常在電容兩端施加直流偏壓,同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測量。一般使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到1MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流,從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。
系統(tǒng)優(yōu)勢
頻率范圍寬:頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào);
高精度、大動(dòng)態(tài)范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%;
內(nèi)置CV測試:內(nèi)置自動(dòng)化CV測試軟件,包含C-V(電容- 電壓),C-T(電容- 時(shí)間),C-F(電容 - 頻率)等多項(xiàng)測試測試功能;
兼容IV測試:同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測試;
實(shí)時(shí)曲線繪制:軟件界面直觀展示項(xiàng)目測試數(shù)據(jù)及曲線,便于監(jiān)控;
擴(kuò)展性強(qiáng):系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),可根據(jù)需求靈活搭配;
基本參數(shù)
典型配置
電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù),尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性),C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù),功率MOS管CV測試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表!