- 概述
磁控濺射是利用磁場束縛電子的運(yùn)動(dòng)（即磁控管模式），其結(jié)果導(dǎo)至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多，使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點(diǎn)。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復(fù)性好、薄膜與基片的附著能力強(qiáng)，膜層純度高。
- 主要技術(shù)性能指標(biāo)
- 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功能概述
本鍍膜系統(tǒng)為圓形真空室結(jié)構(gòu)，后部抽氣，正面開門結(jié)構(gòu)，采用優(yōu)質(zhì)奧氏體不銹鋼制造。濺射沉積室頂板上安裝有一只2inch(或3inch)磁控濺射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，可用于研究和開發(fā)納米級單層及多層功能膜，如硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜、復(fù)合膜、鐵磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。
工作原理
濺射沉積系統(tǒng)為一單靶濺射沉積系統(tǒng)，靶固定在真空室頂板上，靶基距可以通過基片架的升降來調(diào)節(jié)（靶基距60mm～90mm可調(diào)）。基片架可升降，采用磁流體密封裝置+步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，滿足基片旋轉(zhuǎn)要求。
A. 真空獲得及壓力控制
真空獲得系統(tǒng)利用渦輪分子泵作為主泵，機(jī)械旋片泵作為前級泵對真空系統(tǒng)抽氣。真空度控制通過和主泵相連的節(jié)流閥來實(shí)現(xiàn)。
B．濺射電源
一只500W射頻電源（帶自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)），可選直流電源。
系統(tǒng)主要參數(shù)
- 極限真空度：≤6×10-5Pa（清潔+烘烤去氣條件下12小時(shí)內(nèi)獲得）；
- 抽真空時(shí)間：20分鐘內(nèi)，≤6×10-4Pa；
- 基片加熱溫度：≤600℃；
- 基片尺寸：≤Φ3inch的圓片；
- 基片架數(shù)量：1套；
- 靶材尺寸：直徑50mm（可選3inch）；
- 靶數(shù)量：1只或者2個(gè)；
- 真空室尺寸：DN220*340（根據(jù)實(shí)際情況可能會(huì)適當(dāng)調(diào)整）；
- 基片架移動(dòng)距離：≤50mm（軸向方向）；
- 靶軸線和基片旋轉(zhuǎn)軸線夾角：共濺射；
- 氣路系統(tǒng)：2路進(jìn)氣，其中1路為放氣使用；
