一、概述
多角度激光橢偏儀使用632.8nm波長HeNe激光器，對(duì)測(cè)量薄膜厚度，折射率和吸收系數(shù)有非常出色的精度。儀器能夠分析單層膜，多層膜和大塊材料（基底）。
二、規(guī)格
1、激光波長：632.8nm；
2、150mm（z-tilt）載物臺(tái)；
3、入射角度可調(diào)，步進(jìn)5°；
4、自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡/顯微鏡，用于樣品校準(zhǔn)；
5、Small footprint；
6、以太網(wǎng)接口連接到PC。
三、產(chǎn)品特點(diǎn)
1、超高精度和穩(wěn)定性，，來源于高穩(wěn)定激光光源、溫度穩(wěn)定補(bǔ)償器設(shè)置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測(cè)器。
2、高精度樣品校準(zhǔn)，使用光學(xué)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鏡和顯微鏡。
3、快速簡易測(cè)量，可選擇不同的應(yīng)用模型和入射角度。
4、多角度測(cè)量，可支持復(fù)雜應(yīng)用和精確厚度。
5、全面預(yù)設(shè)應(yīng)用，包含微電子、光電、磁存儲(chǔ)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。
四、技術(shù)指標(biāo)
1、波長：632.8nm氦氖激光器。
2、長期穩(wěn)定性：d(y)=±0.01°；d(D)=±0.1°。
3、折射率測(cè)量精度：5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍（多晶硅）：2μm。
5、測(cè)量時(shí)間：120ms～1.5s（決定于測(cè)量方式）。
6、入射角：手動(dòng)角度計(jì)40°～90°，步進(jìn)值5°。
7、選項(xiàng)：360°旋轉(zhuǎn)單元；真空吸盤；x-y地形圖掃描載物臺(tái)。
8、90°位置時(shí)y，D精度：d(y)=±0.002°；d(D)=±0.002°。
9、膜厚測(cè)量精度：0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍：4μm。
11、膜層數(shù)量默認(rèn)：在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑：1mm。
13、樣品載物臺(tái)：可調(diào)節(jié)高度和角度的樣品臺(tái)，150mm直徑。
14、設(shè)置：高穩(wěn)定性補(bǔ)償器，可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器，定位/探測(cè)，自動(dòng)校準(zhǔn)高穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器。
