電阻率計(jì)SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55,PLB-55i,電阻率計(jì)RT-1000,體積電阻率測量裝置RT-110,載流子壽命測定裝置WT-2000P,WT-2010D,μPCD載流子壽命測量裝置WT-2000PVN
電阻率計(jì)SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
電阻率計(jì)SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55
鋼錠缺陷檢測裝置PLB-55,PLB-55i,電阻率計(jì)RT-1000,體積電阻率測量裝置RT-110,載流子壽命測定裝置WT-2000P,WT-2010D,μPCD載流子壽命測量裝置WT-2000PVN,少數(shù)載流子壽命測量裝置WT-2000PI,PN測定儀PN-100
產(chǎn)品介紹
PLB是一種易于使用的裝置，用于快速、非接觸式檢測太陽能電池應(yīng)用中硅塊中的缺陷和雜質(zhì)濃度。
它是一種易于使用的裝置，用于快速、非接觸地檢測光伏應(yīng)用中硅塊中的缺陷。
PLB是-種利用紅外線檢測硅塊內(nèi)部異物(主要是SiC、SiN等)的設(shè)備。用線鋸等切割硅塊時(shí)，通過提前檢測和處理內(nèi)部異物，可以防止線鋸損壞和斷線。
硅單晶、多晶、 非晶等體電阻率的非接觸測量。有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
RT-1000電阻率儀基于渦流法，可實(shí)現(xiàn)對錠塊體電阻率的非接觸、無損測量，以及單晶/多晶硅、鍋屑等原材料的快速分選。RT-1000P 是該電阻率計(jì)的便攜式版本，可通過 USB 端口與任何計(jì)算機(jī)配合使用。
RT-110電阻率儀是一種非接觸式體電阻率測量設(shè)備，用于硅片的高速分選。它使用渦流技術(shù)工作。RT-110電阻率儀適用于測量半導(dǎo)體晶圓本身的電阻率和厚度。晶圓處理是手動(dòng)完成的，測量是自動(dòng)開始的。RT-110 可以測量四種不同的電阻率范圍。導(dǎo)電類型也可以用內(nèi)置的 PN 確定器來確定。
WT-2000P 是一種高通量在線測量儀器，通過測量載流子復(fù)合壽命和電阻率來監(jiān)控硅塊的質(zhì)量。在 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進(jìn)行快速非接觸式測量（單點(diǎn)、線掃描和/或地圖）。有手動(dòng)和自動(dòng)測量方式，上塊功能也有手動(dòng)和自動(dòng)（傳送帶）。它還具有高級自動(dòng)化功能。
載流子復(fù)合壽命是多晶硅塊的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。測量基于 µ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測量的。
WT-2000PVN 是一款臺(tái)式測量裝置，可以測量各種太陽能電池、晶圓和塊?；鞠到y(tǒng)配備間接功能，您可以根據(jù)實(shí)際需要從以下選項(xiàng)中選擇配置測量功能。WT-2000PVN不僅可以測量晶圓和電池，還可以測量塊和錠。測量晶圓或電池時(shí)，通常會(huì)創(chuàng)建地圖。此外，在測量塊或錠時(shí)，通常只創(chuàng)建線掃描以節(jié)省時(shí)間，但 WT-2000PVN 可以同時(shí)進(jìn)行。
少數(shù)載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進(jìn)行非接觸、無損的壽命測量，并可進(jìn)行映射顯示。通過壽命測量，可以評估污染和雜質(zhì)，例如硅和化合物半導(dǎo)體中的鐵濃度。
WT-1200i 是一種非接觸式手持式儀器，用于基于渦流檢測光電導(dǎo)衰減 (e-PCD) 的單點(diǎn)體積壽命單點(diǎn)測量，適用于單晶錠和小塊金屬污染。專為檢測而開發(fā)。與表面鈍化樣品中的 μ-PCD 高度相關(guān)。
WT-2000PI 壽命掃描儀是一款完整的測量設(shè)備，用于基于 e-PCD 方法監(jiān)測 ?300 x 500mm 硅錠中的少數(shù)載流子壽命，無需鈍化?？焖俜墙佑|式測量（硅錠上的單點(diǎn)、線掃描和/或地圖）。具有手動(dòng)和自動(dòng)測量模式，并配備手動(dòng)上錠功能。
硅單晶、多晶、非晶等體電阻率的非接觸測量。有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
少數(shù)載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進(jìn)行非接觸、無損的壽命測量，并可進(jìn)行映射顯示。通過壽命測量，您可以評估污染和雜質(zhì)，例如硅和化合物半導(dǎo)體中的鐵濃度。
WT-2000D是一款通過測量載流子復(fù)合壽命和電阻率來監(jiān)控硅塊質(zhì)量的綜合測量儀器。在 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進(jìn)行快速非接觸式測量（單點(diǎn)、線掃描和/或地圖）。有手動(dòng)和自動(dòng)測量方式，裝塊功能為手動(dòng)。載流子復(fù)合壽命是多晶硅塊的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。測量基于 µ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測量的。
PN-100 是一種易于使用的儀器，用于快速、非接觸式測定半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型（p 或 n）。
