錯位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB
光致發(fā)光WT-2000PL,錯位缺陷可視化裝置EnVision,非接觸式遷移率測量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP
錯位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB
錯位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB
光致發(fā)光WT-2000PL,錯位缺陷可視化裝置EnVision,非接觸式遷移率測量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式薄層電阻渦流LEI-1510系列,FA,lei-1510EB-RP,LEI-1510EC-RP,LEI-1510EB-RS,LEI-1510EC-RS,
LEI-1510EB,LEI-1510EC,高電阻率測量儀COREMA-2000,非接觸式遷移率測量LE1-1610系列
FAa lei -1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式CV測量裝置Cn_CV 350 CV/IV,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 330/230 CV/IV
產(chǎn)品介紹
WT-2000 系列能夠進行高速測量（20 晶圓/小時 - 2500 點），還支持高分辨率映射測量。
提供 266nm、355nm、405nm、532nm、785nm 和 980nm 的多種激光選項
晶體缺陷可視化裝置 EnVision 是一種非破壞性、非接觸式半導(dǎo)體檢測系統(tǒng)，可以在 15 nm 級別可視化位錯缺陷。錯位缺陷的可視化使得過去依賴于工藝工程師的經(jīng)驗和直覺的工藝工作的定量優(yōu)化成為可能。
對于2英寸到8英寸的硅晶圓和化合物半導(dǎo)體（GaAs、GaN、InP 等）外延晶圓，可以對載流子遷移率、薄層電阻和薄層電荷密度進行非接觸和非破壞性測量。
COREMA-2000 能夠?qū)韬突衔锇雽?dǎo)體進行非破壞性和非接觸式電阻率測量。我們可以處理過去難以處理的超高電阻基板，例如半絕緣材料。
Cn-CV 350 CV/IV 系統(tǒng)基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于介電和界面特性的非接觸成像。這個旗艦平臺能夠從雙 FOUP 裝載端口裝載站自動處理晶圓，并且能夠在苛刻的大批量生產(chǎn)環(huán)境中支持在線測量。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系統(tǒng)基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級CV/IV 測量，用于監(jiān)測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。
