因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的核心材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).
采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)容易控制, 因此經(jīng)過(guò)伯東工程師推薦, 長(zhǎng)沙某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室課題租在研究微晶硅薄膜時(shí), 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
射頻離子源型號(hào) | RFICP380 |
Discharge 陽(yáng)極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
試驗(yàn)結(jié)果:
在實(shí)驗(yàn)中, 通過(guò)伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結(jié)晶良好的微晶硅薄膜.
KRI 離子源的功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
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上海伯東: 羅先生